💥 Gate廣場活動: #PTB创作大赛# 💥
在 Gate廣場發布與 PTB、CandyDrop 第77期或 Launchpool 活動 相關的原創內容,即有機會瓜分 5,000 PTB 獎勵!
CandyDrop 第77期:CandyDrop x PTB 👉 https://www.gate.com/zh/announcements/article/46922
PTB Launchpool 火熱進行中: 👉https://www.gate.com/zh/announcements/article/46934
📅 活動時間:2025年9月10日 12:00 – 9月14日24:00 UTC +8
📌 參與方式:
發布原創內容,主題需與 PTB、CandyDrop 或 Launchpool 相關
內容不少於 80 字
帖子添加話題: #PTB创作大赛#
附上 CandyDrop 或 Launchpool 參與截圖
🏆 獎勵設置:
🥇 一等獎(1名):2,000 PTB
🥈 二等獎(3名):800 PTB/人
🥉 三等獎(2名):300 PTB/人
📄 注意事項:
內容必須原創,禁止抄襲或刷量
獲獎者需完成 Gate 廣場身分認證
活動最終解釋權歸 Gate 所有
三星電子NRD-K半導體研發綜合體進機 將導入ASML High NA EUV光刻設備
金十數據11月20日訊,三星電子舉行了位於器興園區的NRD-K新半導體研發綜合體的進機儀式。NRD-K半導體研發綜合體將成為三星電子DS部下屬三大事業部(存儲器、系統LSI和Foundry)的共同核心研發基地,到2030年這一項目將累計獲得約20萬億韓元的投資。NRD-K還將包含一條研發專用線,該產線將於2025年中投入使用。NRD-K綜合體將導入ASML High NA EUV光刻機、新材料沉積設備在內的一系列最先進半導體生產工具,旨在加速3D DRAM、千層V-NAND在內的下代存儲芯片開發。